banner

Продукты

Ipw65r080cfdfksa1 N-Kanal 700 В 43,3 А (Tc) 391 Вт (Tc) DIP-мосфет-транзистор Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

Ipw65r080cfdfksa1 N-Kanal 700 В 43,3 А (Tc) 391 Вт (Tc) DIP-мосфет-транзистор Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

IPW65R080CFDFKSA1 N канал 700 В 43,3 А (Tc) 391 Вт (Tc) DIP Mosfet транзистор PG-TO247-3-1 IPW65R080CFD IPW65R080 IPW65B
ДЕЛИТЬСЯ

Описание

Базовая информация
Модель №.IPW65R080CFD
ФормаСМД
функцияМосфет
Жирный шрифтN-канал
ТехнологииМосфет (металлоксид)
Напряжение сток-исток (Vdss)700 В
Непрерывный дренаж (ID) при 25°C43,3А(ТС)
Напряжение привода (макс. RDS вкл., мин. RDS вкл.)10 В
RDS включен (Макс.) @ ID, Vgs80 мОм при 17,6 А, 10 В
Vgs(Th) (Макс) @ ID4,5 В при 1,76 мА
Ворота-Ладунг (Qg) (Макс) @ Vgs170 НЗ при 10 В
ВГС (Макс)±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds5030 ПФ при 100 В
Потеря мощности (макс.)391 Вт (Тс)
рабочая температура-55°С ~ 150°С (Тдж)
Тип креплениясквозное отверстие
Комплект оборудования поставщикабис-247-3
Основной номер продуктаIPw65r080
Транспортный пакетСтандартный
СпецификацияСтандартный
ИсточникОригинал
Производственная мощность10000 штук/день
Описание продукта
IPW65R080CFDFKSA1 N-канальный 700 В, 43,3 А (Tc) 391 Вт (Tc) DIP Mosfet-транзистор PG-TO247-3-1 IPW65R080CFD IPW65R080 IPW65Предоставление услуг/более 100 000 видов электронных компонентов

ТИП

ОПИСАНИЕ

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Транзисторы – полевые транзисторы, МОП-транзисторы – индивидуально

Производитель

Инфинеон Технологии

Серия

CoolMOS™

Упаковка

Рор

Статус продукта

Не для новых дизайнов

Жирный шрифт

N-канал

Технологии

МОП-транзистор (металлоксид)

Напряжение сток-исток (Vdss)

700 В

Ток – непрерывный сток (Id) при 25°C

43,3А(ТС)

Напряжение привода (макс. индикаторы включены, мин. индикаторы включены)

10 В

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

80 мОм при 17,6 А, 10 В

Vgs(th) (Макс) @ Id

4,5 В при 1,76 мА

Ворота-Ладунг (Qg) (Макс) @ Vgs

170 нК при 10 В

ВГС (Макс)

±20 В

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds

5030 пФ при 100 В

ЖИРНАЯ функция

-

Потеря мощности (макс.)

391 Вт (Тс)

рабочая температура

-55°C ~ 150°C (ТДж)

Тип крепления

сквозное отверстие

Комплект оборудования поставщика

ПГ-ТО247-3-1

Пакет/Чемодан

ТО-247-3

Основной номер продукта

IPW65R080

Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

Ipw65r080cfdfksa1 N-Channel 700 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) DIP Mosfet Transistor Pg-To247-3-1 Ipw65r080cfd Ipw65r080 Ipw65

Наш контакт