banner

Продукты

Микросхема SRAM, асинхронная, одинарная, 3,3 В, 4 МБИТ IS61LV5128AL-10TLI

Микросхема SRAM, асинхронная, одинарная, 3,3 В, 4 МБИТ IS61LV5128AL-10TLI

Описание IS61LV5128AL-10TLI: Чип SRAM, асинхронный, одиночный, 3,3 В, 4 Мбит, 512 К x 8, 10 нс, 44-контактный, TSOP-II К
ДЕЛИТЬСЯ

Описание

Базовая информация
Модель №.ИС61ЛВ5128АЛ-10ТЛИ
МФГ.ИХ
ОКРУГ КОЛУМБИЯ17+
УпаковкаТСОП(II)-44
КачествоНастоящий новый оригинал
Транспортный пакетЯщик
ИсточникКитай
HS-код8542390000
Производственная мощность1000000 штук
Описание продукта

Описание

IS61LV5128AL-10TLI: Чип SRAM, асинхронный, одиночный, 3,3 В, 4 Мбит, 512 К x 8, 10 нс, 44-контактный TSOP-II

Пакет: ТСОП(II)-44

Номер детали производителя: IS61LV5128AL-10TLI.

Производитель: ИССИ

Техническое описание: (для получения файла PDF по электронной почте или в чате)

Статус ROHS:

Качество: 100% оригинал.

Гарантия: 180 дней

Статус продукта

Активный

Тип хранилища

Неустойчивый

Формат хранения

СРАМ

Технологии

SRAM – асинхронный

Объем памяти

4 Мбит

Организация памяти

512К х 8

Интерфейс хранилища

Параллельно

Время цикла записи – слово, страница

10 нс

Время доступа

10 нс

Источник питания

3,135 В ~ 3,6 В

рабочая температура

-40°C ~ 85°C (ТА)

Тип крепления

Поверхностный монтаж

Пакет/Чемодан

44-ТСОП (ширина 0,400", 10,16 мм)

Комплект оборудования поставщика

44-ЦОП II

Основной номер продукта

ИС61ЛВ5128

ISSI IS61LV5128AL — это очень быстрая, маломощная 8-битная статическая CMOS-память на 524 288 слов. IS61LV5128AL изготовлен с использованием высокопроизводительной CMOS-технологии ISSI. Этот высоконадежный процесс в сочетании с инновационными методами проектирования схем приводит к созданию более производительных устройств с низким энергопотреблением. Когда CE\ имеет ВЫСОКИЙ уровень (не выбран), устройство переходит в режим ожидания, в котором рассеиваемая мощность может быть снижена до 250 мкВт (типичное значение) с входными уровнями КМОП. IS61LV5128AL работает от одного источника питания 3,3 В, и все входы совместимы с TTL. IS61LV5128AL доступен в 36-контактном корпусе SOJ 400 мил, 36-контактном Mini BGA и 44-контактном корпусе TSOP (Тип II).

Ключевая особенность

  • Время высокоскоростного доступа: 10, 12 нс
  • Высокопроизводительный КМОП-процесс с низким энергопотреблением
  • Несколько центральных контактов питания и заземления для большей помехоустойчивости
  • Простое расширение памяти с помощью опций CE и OE.
  • CE\ Выключить питание
  • Полностью статическая работа: не требуется никаких часов или обновлений.
  • TTL-совместимые входы и выходы
  • Одиночный источник питания 3,3 В
  • Доступные пакеты:
    • 36-полигер 400-мил-СОДж
    • 36-контактный миниBGA
    • 44-контактный TSOP (тип II)
  • Доступен без свинца

Линейка продуктов компании


IC SRAM Chip Async Single 3.3V 4MBIT IS61LV5128AL-10TLI

 

IC SRAM Chip Async Single 3.3V 4MBIT IS61LV5128AL-10TLI

 

IC SRAM Chip Async Single 3.3V 4MBIT IS61LV5128AL-10TLI

IC SRAM Chip Async Single 3.3V 4MBIT IS61LV5128AL-10TLI

IC SRAM Chip Async Single 3.3V 4MBIT IS61LV5128AL-10TLI


Наш контакт